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全球首发中芯国际N+1工艺芯片 芯动科技再立新功
出自:芯动Innosilicon

10月11日——中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技发布:已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过,这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制,拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术,多次在先进工艺上填补国内空白,核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。

自2019年始,芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下,团队全程攻坚克难,投入数千万元设计优化,率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代,助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作,为大量国内和全球客户实现从成熟工艺(55nm、40nm、28nm、22nm等)到先进工艺(如FinFET 14nm、12nm、7nm等)的不断跨越,在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC,包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产,连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。 如今,芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功,为国产半导体生态链再立新功。

 

 

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文章收入时间: 2020-10-13
 
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